ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5261B-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5261B-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N5261B-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 47 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 105 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 36 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5261 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5261B-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5261B-TAP | 1N5261B | 1N5267B-T | 1N5261B |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | Diodes Incorporated | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 47 V | 47 V | 75 V | 47 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 105 Ohms | 105 Ohms | 270 Ohms | 105 Ohms |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 nA @ 36 V | 100 nA @ 36 V | 100 nA @ 56 V | 100 nA @ 36 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5261 | 1N5261 | 1N5267 | 1N5261 |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±5% |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.1 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5261B-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 1N5261B-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N5261BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5267B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 75V 500MW DO351N5261BonsemiDIODE ZENER 47V 500MW DO35
1N5261BFairchild SemiconductorDIODE ZENER 47V 500MW DO35
1N5261BNTE Electronics, IncDIODE ZENER 47V 500MW1N5263B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 56V 500MW DO351N5280BMicrochip TechnologyVOLTAGE REGULATOR
1N5265BRLAMI Semiconductor/onsemi1N5260B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 43V 500MW DO351N5288(1.0MM)MIC1N5265Microchip TechnologyVOLTAGE REGULATOR1N5259B-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 39V 500MW DO35
1N5261BSMC Diode SolutionsDIODE ZENER 47V 500MW DO351N5263B-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 56V 500MW DO35
1N5261BTaiwan Semiconductor CorporationDO-35, 500MW, 5%, SMALL SIGNAL Z1N5265SMC Diode SolutionsDIODE ZENER 62V 500MW DO351N5260B-TDiodes IncorporatedDIODE ZENER 43V 500MW DO351N5267B-TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 500MW DO35| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที