ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 20ETS12
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETS12 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETS12
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 20 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 20ETS12 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETS12
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 20ETS12 | 20ETS08FP | 20ETF02 | 20ETF10 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 800 V | 200 V | 1000 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 20 A | 1.1 V @ 20 A | 1.3 V @ 20 A | 1.31 V @ 20 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC Full Pack | TO-220AC | TO-220AC |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 20A | 20A | 20A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 20ETS12 | 20ETS08 | 20ETF02 | 20ETF10 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 800 V | 100 µA @ 200 V | 100 µA @ 1000 V |
20ETS12SPBF MOSIR
20EK1TE Connectivity Corcom FiltersLINE FILTER 250VAC 20A CHASS MNT20ETS08FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 20A TO220ACFP20ETS08S MOSIR20ETF02Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
20ETS12S MOSElectro-Films (EFI) / Vishay20ETF10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC20ETS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC20ETS12STRRPBFIR
STPS20M100SRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 20A I2PAK
20ETS08SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB20ETF04PBFElectro-Films (EFI) / Vishay20ETF06FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 20A TO220ACFP20ETF04SPBFIR20ETS12SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB20ETF06PBFIR20ETS08STRLPBFIR20ETF10SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที