ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 30CPQ080
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 30CPQ080 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 30CPQ080
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 860 mV @ 15 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 550 µA @ 80 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 30CPQ |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CPQ080
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | 30CPQ080 | 30CPQ080 | 30CPQ090 | 30CPQ045 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 15A | 15A | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | TO-247AD | TO-247AC | TO-247AD |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 860 mV @ 15 A | 1.05 V @ 15 A | 860 mV @ 15 A | 540 mV @ 15 A |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 30CPQ | 30CPQ | 30CPQ | 30CPQ |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 550 µA @ 80 V | 550 µA @ 80 V | 550 µA @ 90 V | 1 mA @ 45 V |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 80 V | 90 V | 45 V |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 30CPQ080 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 30CPQ080 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译