ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 40EPF10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 40EPF10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 40EPF10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 40 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC Modified | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 450 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1000 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 40EPF10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40EPF10
คุณสมบัติสินค้า | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | 40EPF10 | XBS203V17R-G | 40EPF06 | ER1006_T0_00001 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Torex Semiconductor Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. |
เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 40EPF10 | - | 40EPF06 | ER1006 |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 450 ns | 70 ns | 180 ns | 50 ns |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 280pF @ 1V, 1MHz | - | 62pF @ 4V, 1MHz |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-2 | DO-214AC, SMA | TO-247-2 | TO-220-2 |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 30 V | 600 V | 600 V |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 2A | 40A | 10A |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 40 A | 390 mV @ 2 A | 1.25 V @ 40 A | 1.7 V @ 10 A |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
ชุด | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | 125°C (Max) | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC Modified | SMA | TO-247AC Modified | TO-220AC |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1000 V | 3 mA @ 30 V | 100 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 40EPF10 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 40EPF10 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที