ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 80EPS12
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 80EPS12 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 80EPS12
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.17 V @ 80 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | |
ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 80EPS12 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 80EPS12
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | 80EPS12 | 80EPF06 | 80EPS08 | VS-T20HF220 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 80EPS12 | 80EPF06 | 80EPS08 | T20 |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ชุด | - | - | - | - |
ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 600 V | 800 V | 2200 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 1200 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 800 V | 18 mA @ 2200 V |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.17 V @ 80 A | 1.25 V @ 80 A | 1.17 V @ 80 A | 1.5 V @ 60 A |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | D-55 T-Module |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | D-55 |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 80A | 80A | 20A |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 80EPS12 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ 80EPS12 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที