ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 8ETL06FP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8ETL06FP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 8ETL06FP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 Full Pack | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | FRED Pt® | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 8ETL06 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETL06FP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 8ETL06FP | 8ETX06FP | 8ETU04 | 8ETX06 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | FRED Pt® | FRED Pt® | FRED Pt® | FRED Pt® |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-220-2 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 50 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 400 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-2 Full Pack | TO-220AC Full Pack | TO-220AC | TO-220AC |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 8ETL06 | 8ETX06 | 8ETU04 | 8ETX06 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 250 ns | 24 ns | 60 ns | 24 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 8 A | 3 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 3 V @ 8 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
8ETL06SPBFIR8ETH06STRLIRIGBT Module8ETH06FPPBFIRIGBT Module8ETX06FPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 8A TO220ACFP8ETU04Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC8ETH06STRRIRIGBT Module
8ETL06PBFElectro-Films (EFI) / Vishay8ETX06-EElectro-Films (EFI) / Vishay8ETL06FPPBFIR8ETU04PBFIR8ETX06Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC8ETH06FPIRIGBT Module8ETL06Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC8ETX06FPPBFElectro-Films (EFI) / Vishay8ETU04SPBFElectro-Films (EFI) / Vishay8ETH06PBFElectro-Films (EFI) / Vishay8ETL06-1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO262-3
8ETH06SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที