ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AR3PDHM3/86A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - AR3PDHM3/86A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - AR3PDHM3/86A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Avalanche | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277A (SMPC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | eSMP® | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 140 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AR3 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PDHM3/86A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | AR3PDHM3/86A | AR3PM-M3/86A | AR3PD-M3/86A | AR340S29 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | POSEICO |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 140 ns | 120 ns | 140 ns | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.8A | 1.6A | 1.8A | - |
| เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | Avalanche | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AR3 | AR3 | AR3 | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz | 34pF @ 4V, 1MHz | 44pF @ 4V, 1MHz | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 200 V | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 1000 V | 200 V | - |
| ชุด | eSMP® | eSMP® | eSMP® | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.6 V @ 3 A | 1.9 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AR3PDHM3/86A PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ AR3PDHM3/86A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
AR340S29POSEICOIGBT ModuleAR371XPOSEICOIGBT ModuleAR3PM-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277A
AR3542BFairchild (onsemi)AR3542-26Fairchild (onsemi)AR372X45POSEICOIGBT ModuleAR3624Fairchild (onsemi)
AR35-T25SBroadcom Limited35MM THRU HABS REF 25BITSSSIAR372S32POSEICOIGBT ModuleAR3056TELEDYNE
AR30N60PPA-13Diodes IncorporatedACTIVE RECTIFIER CONTROLLER V-DFAR371S34POSEICOIGBT ModuleAR372S45POSEICOIGBT ModuleAR371S45POSEICOIGBT ModuleAR371X45POSEICOIGBT ModuleAR340S30POSEICOIGBT ModuleAR372XPOSEICOIGBT ModuleAR3PD-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 1.8A TO277A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที