ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYG10MHE3_A/H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG10MHE3_A/H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYG10MHE3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Avalanche | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYG10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG10MHE3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYG10MHE3_A/H | BYG10Y-M3/TR | BYG10M-E3/TR | BYG10M-E3/TR3 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1600 V | 1000 V | 1000 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | 1 µA @ 1600 V | 1 µA @ 1000 V | 1 µA @ 1000 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYG10 | BYG10 | BYG10 | BYG10 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 µs | 4 µs | 4 µs | 4 µs |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYG10MHE3_A/H PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BYG10MHE3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYG10M-E3-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10Y-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214ACBYG10M-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG10M-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
BYG20DTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214ACBYG10Y-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214ACBYG10K-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACBYG10M-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10M-TR3Electro-Films (EFI) / VishayBYG20D-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 200V 1.5A DO214ACBYG20GDiotec SemiconductorDIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC SMABYG20DDiotec SemiconductorDIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC SMABYG10K-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACBYG10MDiotec SemiconductorDIODE AVAL 1KV 1.5A DO214AC SMABYG10K-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10YDiotec SemiconductorDIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214ACBYG10M-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG20D-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที