ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYT53G-TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYT53G-TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYT53G-TR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
เทคโนโลยี | Avalanche | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.9A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYT53 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT53G-TR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYT53G-TR | BYT56A-TAP | BYT53D-TAP | BYT52M-TR |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.4 V @ 3 A | 1.1 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYT53 | BYT56 | BYT53 | BYT52 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | SOD-64 | SOD-57 | SOD-57 |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 1000 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | SOD-64, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.9A | 3A | 1.9A | 1.4A |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ชุด | - | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 50 V | 200 V | 1000 V |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 100 ns | 50 ns | 200 ns |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYT53G-TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BYT53G-TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที