ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYV27-100-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYV27-100-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYV27-100-TAP
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.07 V @ 3 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
เทคโนโลยี | Avalanche | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 100 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV27 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-100-TAP
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYV27-100-TAP | BYV26EGP-E3/73 | BYV27-150-TAP | BYV26EGP-E3/54 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 75 ns | 25 ns | 75 ns |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYV27 | BYV26 | BYV27 | BYV26 |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 1000 V | 165 V | 1000 V |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.07 V @ 3 A | 2.5 V @ 1 A | 1.07 V @ 3 A | 2.5 V @ 1 A |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | DO-204AC (DO-15) | SOD-57 | DO-204AC (DO-15) |
ชุด | - | SUPERECTIFIER® | - | SUPERECTIFIER® |
เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Standard |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 100 V | 5 µA @ 1000 V | 1 µA @ 165 V | 5 µA @ 1000 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | SOD-57, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 1A | 2A | 1A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYV27-100-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BYV27-100-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที