ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYX82TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYX82TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BYX82TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Avalanche | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYX82 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX82TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYX82TR | BYX84TAP | BYX67-100 | BYX67-800R |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | 1 µA @ 600 V | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 µs | 4 µs | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Box (TB) | - | - |
| เทคโนโลยี | Avalanche | Avalanche | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BYX82 | BYX84 | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | SOD-57 | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 600 V | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYX82TR PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BYX82TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BYX67-100STMicroelectronicsIGBT ModuleBYX67-800RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYX67-1000STMicroelectronicsIGBT ModuleBYX66-800STMicroelectronicsIGBT Module
BYX96-1200RULUMILEDSIGBT ModuleBYX66-800RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYX96-1600RULUMILEDSIGBT ModuleBYX84TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57BYX67-50RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYX96-1600LUMILEDSIGBT ModuleBYX96-1200LUMILEDSIGBT ModuleBYX96-1600ULUMILEDSIGBT ModuleBYX67-800STMicroelectronicsIGBT ModuleBYX67-100RSTMicroelectronicsIGBT ModuleBYX96-1200ULUMILEDSIGBT ModuleBYX96-1200RLUMILEDSIGBT Module
BYX90GFreescale / NXP SemiconductorsBYX67-1000RSTMicroelectronicsIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที