ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZT03D12-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZT03D12-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZT03D12-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 500 mA | |
| ความอดทน | ±5.42% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | |
| ชุด | BZT03 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 9.1 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZT03 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D12-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZT03D12-TAP | BZT03C200-TAP | BZT03C24-TR | BZT03C47-TR |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 7 Ohms | 500 Ohms | 15 Ohms | 45 Ohms |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 µA @ 9.1 V | 1 µA @ 150 V | 1 µA @ 18 V | 1 µA @ 36 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 12 V | 200 V | 24 V | 47 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-57 | SOD-57 | SOD-57 | SOD-57 |
| ชุด | BZT03 | BZT03 | BZT03 | BZT03 |
| ความอดทน | ±5.42% | ±6% | ±5.83% | ±6.38% |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZT03 | BZT03C200 | BZT03C24 | BZT03C47 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 500 mA | 1.2 V @ 500 mA | 1.2 V @ 500 mA | 1.2 V @ 500 mA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZT03D12-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BZT03D12-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZT52-B11S_R1PANJITBZT52-12PANJIT
BZT03C24Electro-Films (EFI) / VishayBZT52-B10SPANJIT
BZT52-B12Freescale / NXP SemiconductorsBZT03C200-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 160VWM 276VC SOD57BZT03C24-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 20VWM 33.8VC SOD57BZT03C47-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 47V 1.3W SOD57BZT03C220-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 180VWM 305VC SOD57
BZT52-B10S_R1_00001Panjit International Inc.SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODBZT03C30N/ABZT03C8V2-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 6.8VWM 12.3VC SOD57BZT52-B11PANJITBZT52-B11SPANJITBZT52-B12SGLISIONBZT52-B10Freescale / NXP SemiconductorsBZT03C68-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 56VWM 94.4VC SOD57BZT03C82-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 68VWM 114VC SOD57| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที