ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZW03C180-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZW03C180-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - BZW03C180-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 180 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | |
| ความอดทน | ±5% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | |
| ชุด | BZW03 | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.85 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 210 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 130 V | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZW03 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C180-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZW03C180-TAP | BZW03C62-TAP | BZW03C75-TR | BZW03D36-TR |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1.85 W | 1.85 W | 1.85 W | 1.85 W |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 130 V | 2 µA @ 47 V | 2 µA @ 56 V | 2 µA @ 25.8 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial |
| ความอดทน | ±5% | ±5% | ±5% | ±10% |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 1.2 V @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | SOD-64 | SOD-64 | SOD-64 |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 180 V | 62 V | 75 V | 36 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 210 Ohms | 42 Ohms | 45 Ohms | 11 Ohms |
| ชุด | BZW03 | BZW03 | BZW03 | BZW03 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BZW03 | BZW03 | BZW03 | BZW03 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BZW03C180-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ BZW03C180-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BZW03C120Electro-Films (EFI) / VishayBZW03C7V5-TAP(7.5V)Electro-Films (EFI) / Vishay
BZW04-10Diotec SemiconductorTVS DO-15 10.2V 400W UNI
BZW03-C150(150V)LUMILEDSBZW03C20Electro-Films (EFI) / VishayBZW03C62-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 62V 1.85W SOD64BZW03C100Electro-Films (EFI) / VishayBZW03C22LUMILEDSBZW03-C200LUMILEDS
BZW04-10Taiwan Semiconductor CorporationTVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO204ALBZW03C200TAPElectro-Films (EFI) / VishayBZW04-13BDiotec SemiconductorTVS DO-15 12.8V 400W BIBZW04-136Taiwan Semiconductor CorporationTVS DIODE 136VWM 219VC DO204ALBZW04-136Diotec SemiconductorTVS DIODE 136VWM 219VC DO15BZW03-C75(75V)LUMILEDSBZW03C75-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 1.85W SOD64BZW03D36-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 36V 1.85W SOD64
BZW04-10STMicroelectronicsTVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO15| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที