ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES1C-E3/61T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1C-E3/61T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ES1C-E3/61T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1C-E3/61T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES1C-E3/61T | ES1C-M3/61T | ES1C-13-F | ES1C-E3/5AT |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SMA | DO-214AC (SMA) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1 | ES1 | ES1C | ES1 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES1C-E3/61T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ ES1C-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ES1D R2TAIWANSEM
ES1C R2Taiwan SemiconductorES1C-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 1A DO214ACES1D HBHBES1C-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 150V 1A SMAES1C-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 1A DO214ACES1D F2Taiwan SemiconductorES1C R3Taiwan SemiconductorES1D 1A,220
ES1C/13TElectro-Films (EFI) / VishayES1B_R1PANJITES1BT/RPANJITES1C/11TElectro-Films (EFI) / VishayES1D T/RPANJITES1B_R1_00101-PECPANJITES1D 2K/RES1C T/RTaiwan SemiconductorES1BL R2GTaiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที