ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FB180SA10
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FB180SA10 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FB180SA10
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | |
ชุด | HEXFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 108A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 480W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10700 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 380 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FB180 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division FB180SA10
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FB180SA10 | FB1608-06L2R4MT/LF | FB1F3P-T1B | FB1608-06N2R4CT |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ACX | NEC | ACX |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 480W (Tc) | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 10700 pF @ 25 V | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 180A (Tc) | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | - | - | - |
ชุด | HEXFET® | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | - | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227 | - | - | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 108A, 10V | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | - | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 380 nC @ 10 V | - | - | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | FB180 | - | - | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที