ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GA200SA60S
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GA200SA60S
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.3V @ 15V, 100A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 630 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| กทช Thermistor | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 16.25 nF @ 30 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 A | |
| องค์ประกอบ | Single | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GA200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GA200SA60S | GA200SA60U | GA200TD120U-703403 | GA200SA605 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IR | NO |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | - | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 200 A | 200 A | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 1.3V @ 15V, 100A | 1.9V @ 15V, 100A | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 630 W | 500 W | - | - |
| กทช Thermistor | No | No | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-227B | SOT-227B | - | - |
| องค์ประกอบ | Single | Single | - | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 1 mA | 1 mA | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GA200 | GA200 | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 16.25 nF @ 30 V | 16.5 nF @ 30 V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GA200SA60S PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ GA200SA60S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GA200TD120U-703403IRIGBT ModuleGA200SA605NOIGBT ModuleGA200HS60UIRIGBT ModuleGA200TD120UIRIGBT ModuleGA200TD120UPBFIRIGBT ModuleGA200LD120KIRIGBT ModuleGA200NS61UIRIGBT ModuleGA200HS60S1IRIGBT ModuleGA200ND120UIRIGBT ModuleGA200TD120KIRIGBT ModuleGA200TS600UXIRIGBT ModuleGA200HS60SIRIGBT ModuleGA200SA60UPIRIGBT ModuleGA200TS25SIRIGBT ModuleGA200SA60SPIRIGBT ModuleGA200SA60UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 500W SOT227BGA200LS60UIRIGBT ModuleGA200HS60S1PBFIRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที