ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU8K-E3/45
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU8K-E3/45 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU8K-E3/45
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.9 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-E3/45
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU8K-E3/45 | GBU8KS | GBU810 | GBU8M-E3/51 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 1 kV | 1 kV |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.9 A | 8 A | 8 A | 3.9 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU8 | - | GBU810 | GBU8 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU8K-E3/45 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ GBU8K-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
GBU810_HFLITEONGBU8KSFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODEGBU810Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBUGBU8M-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU
GBU8K_B0_100A2PANJIT
GBU8D-E3/72Electro-Films (EFI) / Vishay
GBU8KSonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBUGBUE2560-M3/PVishayGBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A GBUGBU8J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU
GBU860Diodes Incorporated
GBU8J-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A GBUGBU8M-15C-TGULFGBU8K-E3/72VISHHYGBU8J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBUGBU8K-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.9A GBUGBU8JSPANJITGBU8M-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที