ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRD3910R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - IRD3910R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - IRD3910R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 62.8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 350 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 80 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRD3910 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRD3910R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRD3910R | IRD3912 | IRD3911 | IRD3910 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 300 V | 200 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 30A | 30A | 30A | 30A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 350 ns | 350 ns | 350 ns | 350 ns |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) | DO-203AB (DO-5) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 62.8 A | 1.8 V @ 62.8 A | 1.8 V @ 62.8 A | 1.8 V @ 62.8 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C | -40°C ~ 125°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 80 µA @ 100 V | 80 µA @ 300 V | 80 µA @ 200 V | 80 µA @ 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRD3910 | IRD3912 | IRD3911 | IRD3910 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRD3910R PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ IRD3910R - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IRD3912RIRIGBT ModuleIRD3912Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 30A DO203ABIRD3912MIRIGBT ModuleIRD3913RIRIGBT ModuleIRD3912RMIRIGBT ModuleIRDAK0705169IRIGBT ModuleIRD3913MIRIGBT ModuleIRD3913IRIGBT ModuleIRD3910RMIRIGBT ModuleIRD3899RMIRIGBT ModuleIRD4905SIRIRD3899IRIGBT ModuleIRD3910MIRIGBT ModuleIRD3911RIRIGBT ModuleIRD3913RMIRIGBT ModuleIRD3911Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 30A DO203ABIRD3910Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 30A DO203ABIRD3899RIRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที