ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MB4S-E3/80
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB4S-E3/80 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MB4S-E3/80
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 400 mA | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-269AA (MBS) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-269AA, 4-BESOP |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ประเภทไดโอด | Single Phase | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500 mA | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MB4 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.10.0070 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB4S-E3/80
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MB4S-E3/80 | MB4S-TP | MB4S-E3/45 | MB47393 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Fujitsu Electronics America, Inc. |
ชุด | - | - | - | - |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 500 mA | 500 mA | 500 mA | - |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-269AA (MBS) | MBS-1 | TO-269AA (MBS) | - |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MB4 | MB4 | MB4 | - |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA | 1 V @ 400 mA | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP | - |
ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | - |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MB4S-E3/80 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MB4S-E3/80 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที