ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR1635
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1635 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR1635
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 16 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR16 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1635
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR1635 | MBR16150 | MBR1640 | MBR1635 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Taiwan Semiconductor Corporation |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR16 | - | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 450pF @ 4V, 1MHz | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 35 V | 100 µA @ 150 V | 200 µA @ 40 V | 500 µA @ 35 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 16A | 16A | 16A | 16A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 630 mV @ 16 A | 950 mV @ 16 A | 630 mV @ 16 A | 630 mV @ 16 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC | TO-220AC |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 150 V | 40 V | 35 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR1635 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MBR1635 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBR16150Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 16A TO220ACMBR1640Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 16A TO220ACMBR16400CTSTSMBR1635Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220ACMBR1645Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC
MBR16100CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR16100DC T/RPANJITMBR1630CTMBR1635Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
MBR1635-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
MBR1635GonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220-2MBR1635onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220-2
MBR1640CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220ABMBR1635CTAMI Semiconductor/onsemiMBR16100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR1620CTMBR1630Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 16A TO220ACMBR16100CT T/PPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที