ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR20100CT-1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR20100CT-1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR20100CT-1
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262-3 | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | TMBS® | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20100CT-1
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR20100CT-1 | MBR20100CT-E1 | MBR20100CT | MBR20100CT |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-262-3 | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220-3 |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR20 | - | MBR20100 | - |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 10 A | 850 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 840 mV @ 10 A |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 100 V | 100 µA @ 100 V | 1 mA @ 100 V | 50 nA @ 100 V |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | - | 10A |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ชุด | TMBS® | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR20100CT-1 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MBR20100CT-1 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที