ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MPG06M-M3/73
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MPG06M-M3/73 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MPG06M-M3/73
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MPG06 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 600 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MPG06, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPG06 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06M-M3/73
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MPG06M-M3/73 | 1N3208R | S4240 | HS18140 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Stud Mount | Stud Mount | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MPG06, Axial | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | HALF-PAK |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 50 V | 400 V | 40 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Box (TB) | Bulk | Bulk | Bulk |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 600 ns | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 50 V | 50 µA @ 400 V | 4 mA @ 40 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MPG06 | 1N3208 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.19 V @ 90 A | 1.2 V @ 200 A | 700 mV @ 180 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 40A | 125A | 180A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz | - | - | 7500pF @ 5V, 1MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MPG06 | DO-203AB (DO-5) | DO-205AA (DO-8) | HALF-PAK |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MPG06M-M3/73 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MPG06M-M3/73 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MPG-440AIMAGIA
MPG06GElectro-Films (EFI) / Vishay
MPGC01DN-LF-ZMonolithic Power SystemsMPGA-105+Mini-Circuits1N3208RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIERMPGA700AMPMPGC01DNMonolithic Power SystemsS4240Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 125A DO205AAMPG-440A+IMAGIAMPG440EGNIMAGIAMPGB2208ICHS18140Microsemi CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 180A HALF-PAKMPGA478BSOCKET(CGA)MOLDEC
A190RPDPowerex Inc.DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205ABMPGC01DN-C123-LF-ZMonolithic Power Systems
ES07D-M-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 200V 500MA DO219ABMPGA478BMITSUBISMPGC01DN-LZ-ZMonolithic Power Systems| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที