ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MSP3V3-M3/89A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSP3V3-M3/89A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSP3V3-M3/89A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 3.3V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 11.5V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 4.1V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MicroSMP (DO-219AD) | |
| ชุด | TransZorb®, eSMP® | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 150W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MicroSMP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 87A (8/20µs) | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MSP3V3 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSP3V3-M3/89A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MSP3V3-M3/89A | MSP3V3-E3/89A | MSP430 | MSP3460GB8 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Micronas / TDK | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MSP3V3 | MSP3V3 | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MicroSMP | MicroSMP | - | - |
| ชนิด | Zener | Zener | - | - |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | - | - |
| การประยุกต์ใช้งาน | General Purpose | General Purpose | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 3.3V | 3.3V | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 87A (8/20µs) | 87A (8/20µs) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 11.5V | 11.5V | - | - |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | - | - |
| พลังงาน - Peak Pulse | 150W | 150W | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| ชุด | TransZorb®, eSMP® | TransZorb®, eSMP® | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 4.1V | 4.1V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MSP3V3-M3/89A PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MSP3V3-M3/89A - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MSP430MSP3460GB8Micronas / TDKMSP3463G-PP-B3Micronas / TDKMSP3460G-QA-B8-V3-TBMicronas / TDKMSP3460G-QA-B8-V3-TBD0-000Micronas / TDK
MSP430AFE221IPWRTexas InstrumentsIC MCU 16BIT 4KB FLASH 24TSSOP
MSP430AFE232IPWTexas Instruments
MSP3460G-QA-C12-100TMicron Technology
MSP3V3-M3Micrel / Microchip TechnologyMSP430AFE252IPWRTexas InstrumentsIC MCU 16BIT 16KB FLASH 24TSSOPMSP34VCD-QG-A1Micronas / TDKMSP430AFE221IPWTexas InstrumentsMSP430AFE251IPWRMSP3463G-B3Micron TechnologyMSP4200-NGCPMCMSP3V3-E3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 3.3VWM 11.5VC MICROSMPMSP4120-NGCPMCMSP40-GSFMEMS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที