ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MSS2P3HM3_A/H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSS2P3HM3_A/H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MSS2P3HM3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MicroSMP (DO-219AD) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MicroSMP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MSS2P3 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS2P3HM3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MSS2P3HM3_A/H | MSS2P3-M3/89A | MSS2P2-M3/89A | MSS3-T/R |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 2A | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 250 µA @ 30 V | 250 µA @ 30 V | 250 µA @ 20 V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) | MicroSMP (DO-219AD) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | MicroSMP | MicroSMP | MicroSMP | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | eSMP® | eSMP® | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz | 65pF @ 4V, 1MHz | 65pF @ 4V, 1MHz | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 30 V | 20 V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 600 mV @ 2 A | 600 mV @ 2 A | 600 mV @ 2 A | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MSS2P3 | MSS2P3 | MSS2P2 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MSS2P3HM3_A/H PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MSS2P3HM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MSS3-T/R
MSS2P3-M3P/HElectro-Films (EFI) / VishayMSS3-Q-T/RDIPTRONICSMSS2P3-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMPMSS3-V-TRDIPTRONICSMSS3-VMSS2P3-M3Electro-Films (EFI) / VishayMSS2P2-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 2A MICROSMP
MSS21A12BComus InternationalMSS2P4-M3/89AElectro-Films (EFI) / VishayMSS2P2-E3/89AElectro-Films (EFI) / VishayMSS2P3-E3/89AElectro-Films (EFI) / VishayMSS2PS-M3N/A
MSS20143-B10DAeroflex (MACOM Technology Solutions)MSS3-W-V-T/RMSS3-Q-V-T/RDiptronics
MSS20-141-B10DMACOM Technology SolutionsSCHOTTKY DIODE,BEAMLEAD, B10DMSS3-V-T/RDiptron| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที