ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S1MHE3/61T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1MHE3/61T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1MHE3/61T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.8 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1MHE3/61T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S1MHE3/61T | S1MLWHRVG | S1MLHRVG | S1MHE3_A/H |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 1µA @ 1000V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1V @ 1A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| เทคโนโลยี | Standard | - | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | SOD-123W | DO-219AB | DO-214AC, SMA |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 9pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | SOD123W | Sub SMA | DO-214AC (SMA) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.8 µs | - | 1.8 µs | 1.8 µs |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000V | 1000 V | 1000 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M | - | S1ML | S1M |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S1MHE3/61T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ S1MHE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S1M8837X01Samsung SemiconductorS1MLWHRVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123WS1MS R3Taiwan SemiconductorS1M8838X01-N070Samsung Semiconductor
S1MHE3Electro-Films (EFI) / VishayS1MHR2GTaiwan SemiconductorS1MLHRVGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMAS1MHE3-A/HElectro-Films (EFI) / Vishay
S1ML R2S1MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1ML SHRVGTaiwan SemiconductorS1MFL-03Taiwan SemiconductorS1MF R3GTaiwan SemiconductorS1MHE3-A/IElectro-Films (EFI) / VishayS1M8837X01-N0T0Samsung SemiconductorS1ML R3Taiwan SemiconductorS1MHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
S1MB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที