ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S1MHE3/61T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1MHE3/61T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S1MHE3/61T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.8 µs |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1MHE3/61T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | S1MHE3/61T | S1MLWHRVG | S1MLHRVG | S1MHE3_A/H |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 1µA @ 1000V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1V @ 1A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
เทคโนโลยี | Standard | - | Standard | Standard |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | SOD-123W | DO-219AB | DO-214AC, SMA |
ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 9pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | SOD123W | Sub SMA | DO-214AC (SMA) |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 1.8 µs | - | 1.8 µs | 1.8 µs |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000V | 1000 V | 1000 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S1M | - | S1ML | S1M |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S1MHE3/61T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ S1MHE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที