ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S2G-E3/52T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2G-E3/52T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2G-E3/52T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S2G |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2G-E3/52T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S2G-E3/52T | S2GA-13 | S2GA-13-F | S2G-13-F |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S2G | S2G | S2G | S2G |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | SMA | SMA | SMB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 400 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 400 V | 400 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S2G-E3/52T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ S2G-E3/52T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S2GA-13-F-71Diodes Incorporated
S2GHE3-A/IElectro-Films (EFI) / Vishay
S2G3SS-231M-E01SEMITELS2G-6600E3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2GA R3Taiwan SemiconductorS2G/2BElectro-Films (EFI) / VishayS2GHE3-A/HElectro-Films (EFI) / VishayS2G-E3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS2G R4Taiwan SemiconductorS2GA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMAS2GA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMAS2G-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMBS2G-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMBS2GHE3Electro-Films (EFI) / VishayS2G-002Electro-Films (EFI) / VishayS2G3SS-301M-E01SEMITELS2G T/RPANJITS2GHE3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที