ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S2M-E3/5BT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2M-E3/5BT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S2M-E3/5BT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S2M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2M-E3/5BT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S2M-E3/5BT | S2MA-13 | S2M-13-F | S2MA R3G |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2 µs | - | - | 1.5µs |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5µA @ 1000V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 1.5A | 1.5A | 1.5A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S2M | S2M | S2M | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | SMA | SMB | DO-214AC (SMA) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.1V @ 1.5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 20pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S2M-E3/5BT PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ S2M-E3/5BT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S2MA-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
S2MA HFLITEON
S2M-R2-00001PANJITS2M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMBS2MA-HFLITEONS2M1E120Z296030UTCS2MF S2MSKS2MA_HFLITEON
S2MHE3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS2MA R3GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214ACS2MF-AT
S2MA R3Taiwan SemiconductorS2MA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMAS2MA-FLITEONS2M-R1-00001PANJITS2MHE3/52TElectro-Films (EFI) / Vishay
S2M-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AAS2M T/RPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที