ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S4PGHM3_A/H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PGHM3_A/H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - S4PGHM3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277A (SMPC) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2.5 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S4P |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PGHM3_A/H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S4PGHM3_A/H | CTS05S40,L3F | S4PK-M3/86A | S4PGHM3/86A |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Toshiba Semiconductor and Storage | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | S4P | CTS05S40 | S4P | S4P |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 40 V | 800 V | 400 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-277, 3-PowerDFN | SOD-882 | TO-277, 3-PowerDFN | TO-277, 3-PowerDFN |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 4 A | 350 mV @ 100 mA | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4A | 500mA | 4A | 4A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz | 42pF @ 0V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 2.5 µs | - | 2.5 µs | 2.5 µs |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | 125°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 400 V | 30 µA @ 10 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 400 V |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, eSMP® | - | eSMP® | eSMP® |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-277A (SMPC) | CST2 | TO-277A (SMPC) | TO-277A (SMPC) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S4PGHM3_A/H PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ S4PGHM3_A/H - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
S4P-VH(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 3.96MMCTS05S40,L3FToshiba Semiconductor and StorageDIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2S4PK-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 4A TO277AS4PGHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 4A TO277AAU2PDHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277AS4PGHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 4A TO277AS4PJHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 4A TO277AS4PD-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 4A TO277AS4PDHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 4A TO277AS4PJHM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
RB521CS-30FHT2RARohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2S4PJ-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
NRVB130LSFT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123FL
S4P761APGEQRRBTexas InstrumentsPROTOTYPES4PDHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 4A TO277AS4PB-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 4A TO277AS4PBHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
BAS116-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที