ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SB1H100-E3/54
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SB1H100-E3/54 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SB1H100-E3/54
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 770 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SB1H100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB1H100-E3/54
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SB1H100-E3/54 | SB190-T | SB180-T | SB1H100-E3/73 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 770 mV @ 1 A | 800 mV @ 1 A | 800 mV @ 1 A | 770 mV @ 1 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AL (DO-41) | DO-41 | DO-41 | DO-204AL (DO-41) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 100 V | 500 µA @ 90 V | 500 µA @ 80 V | 1 µA @ 100 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 175°C (Max) | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | 175°C (Max) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SB1H100 | SB190 | SB180 | SB1H100 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 90 V | 80 V | 100 V |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SB1H100-E3/54 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SB1H100-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SB19NP18BR28PVITSTMicroelectronicsSB190-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 90V 1A DO41SB1660CT_T0_00001PANJIT
SB1H100Electro-Films (EFI) / VishaySB180-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 1A DO41SB1H100-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204ALSB180-E3/73Electro-Films (EFI) / VishaySB19NP18ER28PVMKSTMicroelectronicsSB1680CTPANJITSB1680FCT T/PPANJITSB19NP18ER28PVLVSTMicroelectronicsSB1R5-5-5SARCHSB1660FCTPANJITSB19NP18ER28PVLRSTMicroelectronicsSB19NP18ER28PVMTSTMicroelectronicsSB170-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 1A DO41SB19NP18DR28PVITSTMicroelectronicsSB1H100-E3Electro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที