ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SF5408-TAP
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SF5408-TAP คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SF5408-TAP
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SF5408 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5408-TAP
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SF5408-TAP | SF5408-TR | SF56S006V4A | SF5533LGT |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | JAE Electronics | SIFIRST |
| บรรจุุภัณฑ์ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 3 A | 1.7 V @ 3 A | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 1000 V | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Avalanche | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SF5408 | SF5408 | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-64 | SOD-64 | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-64, Axial | SOD-64, Axial | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SF5408-TAP PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SF5408-TAP - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SF56S006V4AJAE ElectronicsSF5533LGTSIFIRST
SF5406Electro-Films (EFI) / VishaySF50PS-N1-4MITSUBISHIIGBT Module
SF510353CPFreescale / NXP SemiconductorsSF5582SGTSIFIRSTSF5408-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64SF5545LGT
SF56S006V4AR2000JAE ElectronicsCONN MICRO SIM CARD PUSH-PUSH
SF50N13TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleSF5533PLGTSIFIRSTSF5580SGTSiFirstSF50Q13TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleSF50N11TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module
SF56S006V4BR2000JAE ElectronicsCONN MICRO SIM CARD PUSH-PUSH
SF5770TPulse ElectronicsSF50L12TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleSF50L13TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที