ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SM6S33ATHE3/I
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S33ATHE3/I คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SM6S33ATHE3/I
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 33V | |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 53.3V | |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 36.7V | |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | |
| ชนิด | Zener | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AC | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | |
| การป้องกันสายไฟ | No |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 86A | |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S33 | |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SM6S33ATHE3/I
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SM6S33ATHE3/I | SM6S36A-E3/2D | SM6S30A-E3/2D | SM6S36A-AU_R2_000A1 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - รายละเอียด (ต่ำสุด) | 36.7V | 40V | 33.3V | 40V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-218AC | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, PAR® | PAR® | PAR® | Automotive, AEC-Q101 |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (10 / 1000μs) | 86A | 79A | 95A | 79A |
| แรงดันไฟฟ้า - การยึด (สูงสุด) @ Ipp | 53.3V | 58.1V | 48.4V | 58.1V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ช่องทางแบบทิศทางเดียว | 1 | 1 | 1 | 1 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SM6S33 | SM6S36 | SM6S30 | SM6S36 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| การป้องกันสายไฟ | No | No | No | No |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| พลังงาน - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) | 4600W (4.6kW) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-218AC | DO-218AB | DO-218AB | DO-218AB |
| การประยุกต์ใช้งาน | Automotive | General Purpose | General Purpose | Automotive |
| การประจุกระแสไฟ @ ความถี่ | - | - | - | - |
| ชนิด | Zener | Zener | Zener | Zener |
| แรงดันไฟฟ้า - Reverse Standoff (ประเภท) | 33V | 36V | 30V | 36V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SM6S33ATHE3/I PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SM6S33ATHE3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SM6S36A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB
SM6S36AVishaySM6S30A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218ABSM6S36A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.4.6KW SURFACE MOUNT TRANSIENT VOSM6S36ATHE3_A/IElectro-Films (EFI) / VishaySM6S33AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB
SM6T100ASTMicroelectronicsTVS DIODE 85.5VWM 178VC SMBSM6S33A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.4.6KW SURFACE MOUNT TRANSIENT VOSM6S36AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218ABSM6S36AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218ABSM6S30AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218ABSM6S28AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 28VWM 45.4VC DO218ABSM6S30ATHE3_A/IElectro-Films (EFI) / VishaySM6S36ATHE3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218ACSM6S33A-E3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218ABSM6S30AHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
SM6T100A-E3/52Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 85.5VWM 137VC DO214AASM6S33AHE3/2DVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที