ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SS12HE3/61T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12HE3/61T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS12HE3/61T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS12 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12HE3/61T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SS12HE3/61T | SS12P2L-M3/86A | SS12L R3G | SS12FP |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TSC (Taiwan Semiconductor) | onsemi |
| ชุด | - | eSMP® | - | Automotive, AEC-Q101 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | - | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS12 | SS12P2 | - | SS12 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | TO-277A (SMPC) | Sub SMA | SOD-123HE |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 1 A | 560 mV @ 12 A | 450mV @ 1A | 450 mV @ 1 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 930pF @ 4V, 1MHz | - | 80pF @ 4V, 1MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | TO-277, 3-PowerDFN | DO-219AB | SOD-123H |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 12A | 1A | 1A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 200 µA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 400µA @ 20V | 400 µA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 20 V | 20V | 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SS12HE3/61T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SS12HE3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SS12807R5Y2BABCSS12P2L-M3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277ASS12D07VG4SS12801R1YLBABC
SS12L R3Taiwan Semiconductor
SS12P2LElectro-Films (EFI) / Vishay
SS1260470MLBBourns, Inc.SS12L R3GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 20V 1A SUB SMASS12LR3Taiwan SemiconductorSS12DLC-BTINYSEMISS1260820MFBABCSS12FPonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HESS12HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214ACSS1280150MLBABC
SS12FPFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123HE
SS12LP14E-QX8ESilicon PowerSS12HE3_B/HElectro-Films (EFI) / VishaySS12P2LHM3/86AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที