ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SS22-E3/5BT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS22-E3/5BT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS22-E3/5BT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS22 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22-E3/5BT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SS22-E3/5BT | SS22-E3/52T | SS215L | SS2150-LTP |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Micro Commercial Co |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 170pF @ 4V, 1MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB | SOD-123 | DO-214AC, SMA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 20 V | 150 V | 150 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 500 mV @ 2 A | 500 mV @ 2 A | 850 mV @ 2 A | 900 mV @ 2 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 400 µA @ 20 V | 400 µA @ 20 V | 100 µA @ 150 V | 500 µA @ 150 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | DO-214AA (SMB) | Sub SMA | DO-214AC (SMA) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS22 | SS22 | SS215 | SS2150 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | 2A | 2A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SS22-E3/5BT PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SS22-E3/5BT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SS22BFSHIKUESSS2204J-S01FOXCONNSS22-E3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 2A DO214AA
SS22-E3/52Electro-Films (EFI) / Vishay
SS2200TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSS215LTaiwan Semiconductor Corporation2A, 150V, SCHOTTKY RECTIFIERSS22-E2/52TTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSS2150-LTPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 150V 2A DO214AC
SS220AYangjie TechnologySMA 200V 2.0A Diodes RectifierSS22 R5Taiwan SemiconductorSS215L RUGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 150V 2A SUB SMASS22-E3/57TElectro-Films (EFI) / VishaySS220BFJINGDAOSS220FJINGDAOSS2156SINH MICRO
SS2207001PanasonicSS22-TSS22BGSHIKUES| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที