ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SS29-E3/52T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS29-E3/52T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS29-E3/52T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 90 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS29 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS29-E3/52T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | SS29-E3/52T | SS2FH10-M3/H | SS26T3G | SS29FA |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AA (SMB) | DO-219AB (SMF) | SMB | SOD-123FA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | 100 V | 60 V | 90 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 70pF @ 4V, 1MHz | - | 120pF @ 4V, 1MHz |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 30 µA @ 90 V | 5 µA @ 10 V | 200 µA @ 60 V | 100 µA @ 90 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1.5A | 2A | 2A | 2A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | eSMP® | - | Automotive, AEC-Q101 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS29 | SS2FH10 | SS26 | SS29 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 1 A | 860 mV @ 2 A | 630 mV @ 2 A | 850 mV @ 2 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AA, SMB | DO-219AB | DO-214AA, SMB | SOD-123W |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SS29-E3/52T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SS29-E3/52T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SS2H10Electro-Films (EFI) / VishaySS2FH10-M3/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 2A DO219ABSS2FH10Electro-Films (EFI) / Vishay
SS28A-T-WSWILLASSS26T3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 2A SMBSS2FL4HM3Electro-Films (EFI) / VishaySS2802-33SSSS28BFPHYSS2FH6HM3/HVishaySS2B001AMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleSS2780GNASS29-E3/52Electro-Films (EFI) / VishaySS28-E3/52Electro-Films (EFI) / VishaySS28-E3/52TElectro-Films (EFI) / VishaySS2B003AMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleSS29FAonsemiDIODE SCHOTTKY 90V 2A SOD123FASS2FH6HM3Electro-Films (EFI) / VishaySS2830001 US2 ES2.0NA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที