ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี SS3H9-E3/9AT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS3H9-E3/9AT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - SS3H9-E3/9AT
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 3 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 90 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS3H9 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9-E3/9AT
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | SS3H9-E3/9AT | SS3H10HE3/57T | SS3H10HE3_A/I | SS3H10HE3_B/H |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | SS3H9 | SS3H10 | SS3H10 | SS3H10 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 800 mV @ 3 A | 800 mV @ 3 A | 800 mV @ 3 A | 800 mV @ 3 A |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | 100 V | 100 V | 100 V |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC |
ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 20 µA @ 90 V | 20 µA @ 100 V | 20 µA @ 100 V | 20 µA @ 100 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล SS3H9-E3/9AT PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ SS3H9-E3/9AT - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที