ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ST2600C26R0
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ST2600C26R0 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ST2600C26R0
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.45 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 2.6 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 4 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | R-Puk | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-PUK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 4800 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2220 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 250 mA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 46000A, 48200A | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 400 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ST2600 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.30.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division ST2600C26R0
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ST2600C26R0 | ST25TV02K-AP6G9 | ST2600C20R0 | ST2600C24R0 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics | IR | IR |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | - | - |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 400 mA | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-PUK | Die | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | R-Puk | Wafer | - | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 4800 A | - | - | - |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 46000A, 48200A | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -40°C ~ 85°C (TA) | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.45 V | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 4 V | - | - | - |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 250 mA | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ST2600 | ST25 | - | - |
| ชุด | - | ST25T | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 2.6 kV | - | - | - |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | - | - | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2220 A | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ST2600C26R0 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ ST2600C26R0 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ST25TV02K-AP6G9STMicroelectronics2-KBIT EEPROM TAG IC AT 13.56 MHST2600C20R0IRIGBT ModuleST2600C24R0IRIGBT ModuleST2600C30R3LIRIGBT ModuleST2600C22R0IRIGBT ModuleST2600C26R2LIRIGBT ModuleST2600C30R3IRIGBT Module
ST2600GXH25ATAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraIGBT ModuleST2600C22R0LIRIGBT ModuleST2600C26R3LIRIGBT ModuleST25TV02KC-AFG3STMicroelectronicsST2600C24R0LIRIGBT ModuleST2600C28R0LIRIGBT ModuleST2608B-0105-BSITRONIXST2600C28R3LIRIGBT ModuleST2600C20R1IRIGBT ModuleST25W02M1TRSTMicroelectronicsST260C02CIRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที