ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ST3230C10R0
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ST3230C10R0 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - ST3230C10R0
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.3 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 1 kV | |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 4 V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | R-Puk | |
| ชุด | - | |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-PUK | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 5970 A | |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2785 A | |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 250 mA | |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 61200A, 64000A | |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 400 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ST3230 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division ST3230C10R0
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ST3230C10R0 | ST3230C16R0 | ST3230C14R0 | ST3230C18R3 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | IR | IR |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | R-PUK | R-PUK | - | - |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด) | 400 mA | 400 mA | - | - |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM) | 61200A, 64000A | 61200A, 64000A | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด) | 5970 A | 5970 A | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | R-Puk | R-Puk | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ST3230 | ST3230 | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง | 1 kV | 1.6 kV | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด) | 1.3 V | 1.3 V | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด) | 4 V | 4 V | - | - |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด) | 250 mA | 250 mA | - | - |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด) | 2785 A | 2785 A | - | - |
| ประเภท SCR | Standard Recovery | Standard Recovery | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ST3230C10R0 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ ST3230C10R0 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ST3230C14R0IRIGBT ModuleST3230C18R3IRIGBT ModuleST3232XINBOLE
ST3222ECDRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 18SOST3230C16R0LIRIGBT ModuleST3230C14R3IRIGBT ModuleST3230C12R3LIRIGBT Module
ST3222EBTRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 20TSSOPST3230C12R0IRIGBT ModuleST3222ECTRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 20TSSOP
ST3222EBDPRSTMicroelectronicsST3230C16R0Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionSCR 1.6KV 5970A RPUK
ST3222EBDRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOST3222CTRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 20TSSOP
ST3222ECPRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOPST3230C12R0LIRIGBT ModuleST3222EBPRSTMicroelectronicsIC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOPST3222EBSTMicroelectronics| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที