Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8JT-E3/45
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: UG8JT-E3/45

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.75 V @ 8 A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	600 V
เทคโนโลยี	Standard
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-220AC
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ชุด	-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	50 ns

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-2
บรรจุุภัณฑ์	Tube
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	30 µA @ 600 V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	8A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	UG8J

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	UG8JT-E3/45	UG8BT-E3/45	1N1343B	UG8JHC0G
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Solid State Inc.	Taiwan Semiconductor Corporation
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-2	TO-220-2	DO-203AA, DO-4, Stud	TO-220-2
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-55°C ~ 150°C	-55°C ~ 150°C	-65°C ~ 200°C	-55°C ~ 150°C
เทคโนโลยี	Standard	Standard	Standard	Standard
ชุด	-	-	-	Automotive, AEC-Q101
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	600 V	100 V	150 V	600 V
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	UG8J	UG8B	-	UG8J
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	50 ns	30 ns	-	25 ns
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Tube	Box	Tube
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	30 µA @ 600 V	10 µA @ 100 V	10 µA @ 150 V	30 µA @ 600 V
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Stud Mount	Through Hole
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	8A	8A	16A	8A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	-	-	-	-
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.75 V @ 8 A	1 V @ 8 A	1.3 V @ 30 A	2.9 V @ 8 A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-220AC	TO-220AC	DO-4	TO-220AC

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

UG8JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

UG8JT-E3/45 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

UG8JT-E3/45

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

UG8JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

UG8JT-E3/45 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

UG8JT-E3/45

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ