ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UH1D-E3/61T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UH1D-E3/61T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UH1D-E3/61T
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UH1 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1D-E3/61T
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | UH1D-E3/61T | MBRB735 | 1N2438 | UH1B-E3/61T |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 175°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 35 V | 150 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 1 A | 840 mV @ 15 A | 1.1 V @ 200 A | 1.05 V @ 1 A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 7.5A | 150A | 1A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | TO-263AB (D²PAK) | DO-8 | DO-214AC (SMA) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-214AC, SMA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | - | - | 30 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | 100 µA @ 35 V | 50 µA @ 150 V | 1 µA @ 100 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Box | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UH1 | MBRB7 | - | UH1 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UH1D-E3/61T PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ UH1D-E3/61T - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBRB735Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB1N2438Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 150A DO8UH1B-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC1N3292ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 150A DO8
RHRP30120-F102onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2
HS243100Microsemi CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 240A HALFPAK
SL44-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 4A DO214ABUH1C-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
NRVBA160NT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
SS3P6LHM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
UH10FT-E3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC
1N3740Microchip TechnologyDIODE GP 600V 275A DO205AB DO9
BAS21-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 200V 200MA SOT23-3SS16HE3_B/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC30BQ015TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 15V 3A DO214AB
1N3881RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4BYG10GHE3/TR3Vishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 1.5A
RS2GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที