ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี UHF10JT-E3/45
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UHF10JT-E3/45 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UHF10JT-E3/45
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AC | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UHF10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division UHF10JT-E3/45
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | UHF10JT-E3/45 | UHF5JT-E3/4W | RA201236XX | EGL34DHE3_A/I |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Powerex Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ชุด | - | - | - | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Surface Mount |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10A | 8A | 3600A | 500mA |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab | DO-200AD | DO-213AA (Glass) |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 200 V |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 7pF @ 4V, 1MHz |
เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UHF10 | UHF5 | RA201236 | EGL34 |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | -65°C ~ 175°C |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 40 ns | 22 µs | 50 ns |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ITO-220AC | ITO-220AC | Pow-R-Disc | DO-213AA (GL34) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล UHF10JT-E3/45 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ UHF10JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที