ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี V30200C-E3/4W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30200C-E3/4W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - V30200C-E3/4W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | TMBS® | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | V30200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30200C-E3/4W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | V30200C-E3/4W | V30150C-M3/4W | V30150C-E3/4W | V30200B1 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | EPSO |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 150 V | 150 V | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | V30200 | V30150 | V30150 | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ชุด | TMBS® | TMBS® | TMBS® | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 15 A | 1.36 V @ 15 A | 1.36 V @ 15 A | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 15A | 15A | 15A | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 160 µA @ 200 V | 200 µA @ 150 V | 200 µA @ 150 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล V30200C-E3/4W PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ V30200C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V30200B1EPSO
V3022SO28A+EM MicroelectronicIC RTC CLOCK/CALENDAR 28SOICV3021EM7EMMIC
V30180-T1Electro-Films (EFI) / VishayV3023 28SVISAHY
V30145-J4683-Y22Dialog SemiconductorV30150C-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220V3022-28SEMV30145-J4683-Y19Dialog Semiconductor
V3020SO8B+EM MicroelectronicIC RTC CLK/CALENDAR SER 8SOICV3021SO8AEMMICROV3020XSO8AUEMV30150-E3/4WVISV30150C-E3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220V30145-J4683-Y33Dialog SemiconductorV3020XSO8A+EM MicroelectronicIC RTC CLK/CALENDAR SER 8SOICV30200CElectro-Films (EFI) / VishayV30150CElectro-Films (EFI) / Vishay| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที