ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VS-1EFH02HM3/I
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-1EFH02HM3/I
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 930 mV @ 1 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
เทคโนโลยี | Standard | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-219AB (SMF) | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® | |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 200 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1EFH02 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH02HM3/I
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | VS-1EFH02HM3/I | VS-19TQ015STRLPBF | VS-18TQ045STRLPBF | VS-20BQ030PBF |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
ชุด | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 2000pF @ 5V, 1MHz | 1400pF @ 5V, 1MHz | - |
เทคโนโลยี | Standard | Schottky | Schottky | Schottky |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 19A | 18A | 2A |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 µA @ 200 V | 10.5 mA @ 15 V | 2.5 mA @ 45 V | 500 µA @ 30 V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-219AB (SMF) | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | DO-214AA (SMB) |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 930 mV @ 1 A | 360 mV @ 19 A | 600 mV @ 18 A | 470 mV @ 2 A |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 15 V | 45 V | 30 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1EFH02 | 19TQ015 | 18TQ045 | 20BQ030 |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-219AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | DO-214AA, SMB |
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล VS-1EFH02HM3/I PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ VS-1EFH02HM3/I - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที