ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VS-8TQ100PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8TQ100PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8TQ100PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 720 mV @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 550 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 8TQ100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | VS-8TQ100PBF | VS-E5PH6006L-N3 | VS-8EWS16STRR-M3 | VS-E4TU2006FP-N3 |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 550 µA @ 100 V | 25 µA @ 600 V | 50 µA @ 1600 V | 15 µA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Standard | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 720 mV @ 8 A | 1.7 V @ 60 A | 1.1 V @ 8 A | 1.63 V @ 20 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | TO-247-2 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 Full Pack |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 60A | 8A | 20A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | TO-247AD | D-PAK (TO-252AA) | TO-220-2 Full Pack |
| ชุด | - | FRED Pt® | FRED Pt® | FRED Pt® |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 8TQ100 | E5PH6006 | 8EWS16 | E4TU2006 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 600 V | 1600 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล VS-8TQ100PBF PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ VS-8TQ100PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-E5PH6006L-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 60A TO247ADVS-8EWS16STRR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAKVS-E4TU2006FP-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 20A TO220-2FPVS-8EWS16STRRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAKVS-8EWS16SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAKVS-8EWX06FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-EPU3006-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 30A TO247ACVS-8S2TH06I-MVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACVS-90EPS12L-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 90A TO247AD
VS-C4PU3006L-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 15A TO247ADVS-8EWS16S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252VS-8EWS16STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
VS-8S2TH06FPElectro-Films (EFI) / VishayVS-8EWS16S-M3 SeriesElectro-Films (EFI) / VishayVS-E4PH6006L-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 60A TO247AC
VS-8TQ100STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263ABVS-8EWX06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO252
VS-APU6006-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที