Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR6045WT-N3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: VS-MBR6045WT-N3
Availability: InStock
Rating: 5 (7 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VS-MBR6045WT-N3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-MBR6045WT-N3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-MBR6045WT-N3

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	620 mV @ 30 A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	45 V
เทคโนโลยี	Schottky
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-247AC
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ชุด	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-247-3

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
บรรจุุภัณฑ์	Tube
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	1 mA @ 45 V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode)	30A
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MBR6045

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

VS-MBR6045WT-N3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

VS-MBR6045WT-N3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

VS-MBR6045WT-N3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	VS-MBR6045WT-N3	VS-MBR2045CT-N3	VS-HFA90FA120	VS-HFA70FA120
ผู้ผลิต	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	1 mA @ 45 V	100 µA @ 45 V	75 µA @ 1200 V	75 µA @ 1200 V
การกำหนดค่าไดโอด	1 Pair Common Cathode	1 Pair Common Cathode	2 Independent	2 Independent
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MBR6045	MBR20	HFA90	HFA70
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-247-3	TO-220-3	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227-4, miniBLOC
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-247AC	TO-220-3	SOT-227	SOT-227
ชุด	-	-	HEXFRED®	HEXFRED®
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	620 mV @ 30 A	840 mV @ 20 A	3.3 V @ 40 A	3.8 V @ 60 A
ความเร็ว	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
เทคโนโลยี	Schottky	Schottky	Standard	Standard
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-55°C ~ 150°C	-65°C ~ 150°C	-55°C ~ 150°C	-55°C ~ 150°C
บรรจุุภัณฑ์	Tube	Tube	Tray	Tray
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	45 V	45 V	1200 V	1200 V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode)	30A	10A	45A (DC)	70A
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole	Through Hole	Chassis Mount	Chassis Mount

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

VS-MBR6045WT-N3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

VS-MBR6045WT-N3 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

VS-MBR6045WT-N3

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ