ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VT2060C-E3/4W
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VT2060C-E3/4W คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VT2060C-E3/4W
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 850 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VT2060 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060C-E3/4W
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | VT2060C-E3/4W | VT2080C-E3/4W | VT212AE | VT202B-ADJ |
| ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | VOLTERF | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220-3 | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VT2060 | VT2080 | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | - | Bulk |
| ชุด | - | - | - | * |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 80 V | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 10A | 10A | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 10 A | 810 mV @ 10 A | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 850 µA @ 60 V | 600 µA @ 80 V | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล VT2060C-E3/4W PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ VT2060C-E3/4W - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VT212AEVOLTERFVT202B-ADJAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedVT202B-ADJVT202BEVOLTERRVT2060C-E3VT202BX-ADJAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedVT202BX-ADJVT2060CVT212BX-ADJVOLTERRVT2021VIAVT2020VIAVT212B-ADJVOLTERRA
VT2080CHM3Electro-Films (EFI) / VishayVT212AB-ADJVOLTERRAVT201AB-ADJVOLTERRAVT210JJVTCVT2080C-E3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220ABVT2103AElectro-Films (EFI) / VishayVT206TVAROIGBT ModuleVT201ABX-ADJAnalog Devices Inc./Maxim IntegratedVT201ABX-ADJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที