ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BYG10JHE3/TR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG10JHE3/TR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay Semiconductor - Opto Division | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | Avalanche | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5A | |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย | DO-214AC (SMA) | |
| ชุด | - | |
| สถานะ RoHS | Tape & Reel (TR) | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ต้านทาน @ ถ้า F | - | |
| โพลาไรซ์ | DO-214AC, SMA | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 4µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 14 Weeks | |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | BYG10JHE3/TR | |
| ขยายคำอธิบาย | Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1µA @ 600V | |
| ลักษณะ | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.15V @ 1.5A | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 600V | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | -55°C ~ 150°C |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10JHE3/TR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BYG10JHE3/TR | BYG10K-M3/TR | BYG10J-M3/TR | BYG10GHE3/TR3 |
| ผู้ผลิต | Vishay Semiconductor Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 600V | - | - | 400V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย | DO-214AC (SMA) | - | - | DO-214AC (SMA) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.15V @ 1.5A | 1 µA @ 800 V | 1 µA @ 600 V | 1.15V @ 1.5A |
| ต้านทาน @ ถ้า F | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ลักษณะ | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | - | - | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A |
| สถานะ RoHS | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
| ขยายคำอธิบาย | Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) | - | - | Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 4µs | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | 4µs |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | BYG10JHE3/TR | - | - | BYG10GHE3/TR3 |
| โพลาไรซ์ | DO-214AC, SMA | - | - | DO-214AC, SMA |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | Avalanche | - | - | Avalanche |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1µA @ 600V | - | - | 1µA @ 400V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 4 µs | 4 µs | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | -55°C ~ 150°C | - | - | -55°C ~ 150°C |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 14 Weeks | - | - | 14 Weeks |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | 1 (Unlimited) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BYG10JHE3/TR PDF และเอกสาร Vishay Semiconductor Diodes Division สำหรับ BYG10JHE3/TR - Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214AC
BYG10J-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10J-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10GHE3/TR3Vishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 1.5ABYG10M-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
BYG10MDiotec SemiconductorDIODE AVAL 1KV 1.5A DO214AC SMABYG10G-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10JDiotec SemiconductorDIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC SMABYG10KElectro-Films (EFI) / VishayBYG10J-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10M-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG10GHE3/TRVishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 400V 1.5ABYG10J-AQDiotec SemiconductorDIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC SMABYG10K-TRElectro-Films (EFI) / Vishay
BYG10GHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 400V 1.5A DO214ACBYG10K-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACBYG10J-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10M-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที