ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี VBP104SR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Semiconductor Opto Division - VBP104SR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Semiconductor Opto Division - VBP104SR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay Semiconductor - Opto Division | |
| ความยาวคลื่น | 940nm | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| มุมมอง | 130° | |
| ผีเล็ง | 430nm ~ 1100nm | |
| ชุด | - | |
| Responsivity @ นาโนเมตร | - | |
| เวลาตอบสนอง | 100ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Z-Bend |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทไดโอด | PIN | |
| ปัจจุบัน - เข้ม (ประเภท) | 2nA | |
| สี - ปรับปรุง | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VBP104 | |
| พื้นที่ใช้งาน | 4.4mm² |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Semiconductor Opto Division VBP104SR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | VBP104SR | C30950EH | MICROFJ-30035-TSV-TR | BCS5030G1 |
| ผู้ผลิต | Vishay Semiconductor Opto Division | Excelitas Technologies | onsemi | TDK Corporation |
| ชุด | - | C30950 | J-SERIES SIPM | - |
| มุมมอง | 130° | 130° | - | - |
| ผีเล็ง | 430nm ~ 1100nm | 400nm ~ 1100nm | 200nm ~ 900nm | 350nm ~ 750nm |
| เวลาตอบสนอง | 100ns | 10ns | 110ps | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 425 V | 24.7 V | 6 V |
| สี - ปรับปรุง | - | - | - | - |
| พื้นที่ใช้งาน | 4.4mm² | 0.5mm² | 9.43mm² | 1.5mm² |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทไดโอด | PIN | Avalanche | Avalanche | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Z-Bend | TO-8 Style, 12 Leads | 8-WBGA | 2012 (5030 Metric) |
| ปัจจุบัน - เข้ม (ประเภท) | 2nA | - | 1.9µA | 100pA |
| ความยาวคลื่น | 940nm | 900nm | 420nm | 580nm |
| Responsivity @ นาโนเมตร | - | 560 KV/W @ 900nm | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | VBP104 | C30950 | MICROFJ | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C | -20°C ~ 85°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล VBP104SR PDF และเอกสาร Vishay Semiconductor Opto Division สำหรับ VBP104SR - Vishay Semiconductor Opto Division
C30950EHExcelitas TechnologiesSI APD RECEIVER, 0.8MM, TO-8, 50MICROFJ-30035-TSV-TRonsemiSENSOR PHOTODIODE 420NM 8WBGABCS5030G1TDK CorporationSENSOR PHOTODIODE 580NM 2012
VBPW34FASRVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 780 TO 1050 NM
BPW34SVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 870 TO 1050 NM
PD3122FE000FSharp MicroelectronicsPHOTODIODE POS SENS 2-ANODE SMD
NJL6402R-2-TE1Nisshinbo Micro Devices Inc.COBP PHOTO DIODE FOR FRONT MONIT
VBPW34SVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 780 TO 1050 NM
QSB34ZRonsemiSENSOR PHOTODIODE 940NM 2SMD
VBP104FASVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 750 TO 1050 NM
BPW20RFVishay Semiconductor Opto DivisionSENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL
VBP104SVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 750 TO 1050 NM
BPW21RVishay Semiconductor Opto DivisionSENSOR PHOTODIODE 565NM RADIAL
VBP104FASRVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 750 TO 1050 NM
LTR-323DBLite-On Inc.SENSOR PHOTODIODE 900NM RADIALVTD34SMHExcelitas TechnologiesPHOTODIODE MODULE SMT
PD204-6BEverlight Electronics Co LtdSENSOR PHOTODIODE 940NM RADIAL
VBPW34FASVishay Semiconductor Opto DivisionPHOTODIODE 770 TO 1070 NM| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที