ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRC830PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRC830PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRC830PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | |
| ชุด | HEXFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 610 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | Current Sensing | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRC830 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRC830PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRC830PBF | IRC630PBF | IRC840PBF | IRC730PBF |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | 74W (Tc) | 125W (Tc) | 74W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 500 V | 200 V | 500 V | 400 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRC830 | IRC630 | IRC840 | IRC730 |
| ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 4.5A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 610 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V |
| คุณสมบัติ FET | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 400mOhm @ 5.4A, 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRC830PBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRC830PBF - Vishay Siliconix
IRCFL1IRIRC630PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A TO220-5IRC7139IRIRC840PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A TO220-5IRCFL1SPBFIRIRC640IRIRC730PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220-5IRCH33IRIRCFL1PBFIRIRC634PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5IRCFL1STRPBFIRIRC740IRIRC634IRIRCFL1SIRIRC840IRIRC640-007PBFIRIRC644IRIRC830IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที