ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRCZ24PBF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRCZ24PBF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRCZ24PBF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | |
| ชุด | HEXFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 720 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | Current Sensing | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRCZ24 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRCZ24PBF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRCZ24PBF | IRCZ34PBF | IRCZ44PBF | IRCH33 |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | IR |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 720 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | 50mOhm @ 18A, 10V | 28mOhm @ 31A, 10V | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | 88W (Tc) | 150W (Tc) | - |
| คุณสมบัติ FET | Current Sensing | Current Sensing | Current Sensing | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 60 V | 60 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| ชุด | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRCZ24 | IRCZ34 | IRCZ44 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 17A (Tc) | 30A (Tc) | 50A (Tc) | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-220-5 | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRCZ24PBF PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRCZ24PBF - Vishay Siliconix
IRCH33IR
IRCLR2512LF-01-R300-FTIRC / TT ElectronicsIRCFL1STRPBFIRIRCZ34PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A TO220-5IRCSL007IRC / TT ElectronicsIRCLRF2010-01-R020-FTTELECIRCZ34IRIRCZ44PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220-5IRCLRF1206LF-01-R020-FTTTELECTRONICSIRCLRF1206-01-R010-JTELECTRNICSIRCS8001SIRIRCS8002CSIRIRCZ24IRIRCQS24P2LF-750K-500KIRC / TT ElectronicsIRCLRF2010-01-R005-JTTTELECTRONICSIRCZ34-007PBFIRIRCFL1SPBFIRIRCZ44IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที