ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF737LC
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay Siliconix - IRF737LC คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay Siliconix - IRF737LC
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Vishay / Siliconix | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.7A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 430 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.1A (Tc) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF737 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay Siliconix IRF737LC
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF737LC | IRF737LCPBF | IRF737LCS | IRF7379TR MOS |
| ผู้ผลิต | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | IR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 6.1A (Tc) | 6.1A (Tc) | 6.1A (Tc) | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | IRF737 | IRF737 | IRF737 | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 300 V | 300 V | 300 V | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 74W (Tc) | 74W (Tc) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 430 pF @ 25 V | 430 pF @ 25 V | 430 pF @ 25 V | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.7A, 10V | 750mOhm @ 3.7A, 10V | 750mOhm @ 3.7A, 10V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล IRF737LC PDF และเอกสาร Vishay Siliconix สำหรับ IRF737LC - Vishay Siliconix
IRF7379TR MOSIR
IRF7380PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICIRF7380QIRIRF7380IRIRF7379TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7379TRPBF MOSIRIRF737LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 6.1A TO220ABIRF7380QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICIRF7380TRIRIRF7379QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7379TRPBF.IRIRF7380TRHRIRIRF737LCSVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAKIRF7379TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7379PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7380 MOSIRIRF7379QIRIRF7379QTRPBF.IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที